簡化的 SiC GaN 交換式電源轉換器分析套件

Tektronix

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SiC GaN 電源轉換器上執行幾乎不可能的量測任務

Now you can make nearly impossible differential (floating) measurements on your power conversion designs

Tektronix 推出的 SiC MOSFET GaN FET 交換式電源轉換器分析套件是目前市面上唯一的解決方案,包括最佳化現今快速交換式電源電子設計所需的一切,不僅可降低切換損耗,並可達成最高等級的系統效率。只需一個完整的解決方案,您便可準確地分析所有關鍵參數的特性,以最佳化使用 SiC GaN 等技術的電力電子拓撲結構,包括:

  • 高側和低側切換開關的閘極驅動效能
  • 停滯時間 (Dead-time) 最佳化,包括準確的開啟、關閉和閘極驅動時序
  • 高側和低側切換的 VGSVDS ID 量測
  • 切換損耗、傳導損耗和磁損耗分析

此外,您亦將可有效降低過度設計的成本,並加快產品上市的速度。

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快速連接端選配,完美配合切換速度

  • 低電感、真正高頻連接端選配,適用於高 dv/dt 量測
  • 完整的遮蔽式 MMCX 接頭,可消除幻像振鈴、雜訊和 EMI 問題

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透過軟體完成所有作業

您只需使用 5 系列 MSO 上的 5-PWR 軟體,即可自動化切換式裝置的效率和損耗量測、分析線路中電感和變壓器,並最佳化交流和直流輸入或輸出上的電源品質。

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